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美光176层闪存3D NAND推出 已经开始批量生产

时间:2020-11-10 09:48:24 来源:桔子系统 作者:小桔子

在半导体行业的存储芯片细分领域,常常会提到NAND。近年来,NAND Flash在3D堆叠和QLC技术方面发展迅速,目前100层+3D NAND和QLC被认为是最新的技术,不少厂商已经突破100层+,并向更高层数迈进,也有许多厂商已经推出了几代QLC NAND,并在SSD中进行大规模应用。11月9日晚,美光宣布了自己最新的第五代3D NAND闪存技术,该技术堆积了176层的存储单元。

新的176层闪存是美光和英特尔分手后开发的第二代产品,上一代3D NAND是128层设计,是美光的过渡节点。目前,在三星的存储技术大幅领先下,美光128层3D NAND并不特别高。另外,升级到176层,但落后于三星。

3D NAND

176层NAND支持的接口速度为1600MT/s,高于96层和128层闪存的1200MT/s。与96层NAND相比,读(写)延迟提高了35%以上,与128层NAND相比,提高了25%以上。与使用96层NAND的UFS3.1模块相比,美光芯片的总体混合工作负载改善了约15%。

美光表示,176层的3D NAND已经开始批量生产,在一些英睿达的消费级SSD产品中发货。

但是,无论从短期还是长期来看,更高层次的数量和QLC技术带来的更大容量和更低有助于制造商获得更多的市场机会。


标签 3D NAND
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